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型号 EPC2015
厂商 EPC
描述 TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
EPC2015 PDF
代理商 EPC2015
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 eGaN FET Reliability
Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview
Paralleling eGaN? FETs
RoHS指令信息 Lead Free/RoHS Statement
特色产品 eGaN? FETs
Demo Board EPC9101
标准包装 1
系列 eGaN®
FET 型 GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4 毫欧 @ 33A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 9mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1100pF @ 20V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具剖面（11 焊条）
供应商设备封装 模具剖面（11 焊条）
包装 标准包装
其它名称 917-1019-6
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